سامسونغ تكشف عن شريحة ذاكرة جديدة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي

كشفت شركة سامسونغ النقاب عن شريحة ذاكرة جديدة تزعم أنها تتميز بـ”السعة الأعلى حتى الآن” لتطبيقات الذكاء الاصطناعي، والشريحة، التي يطلق عليها HBM3E 12H، هي أول ذاكرة وصول عشوائي HBM3E DRAM مكونة من 12 حزمة، وتعد نوعا من ذاكرة أشباه الموصلات المناسبة لتخزين كميات كبيرة من البيانات بتكلفة منخفضة نسبيا.

يونغتشول باي، نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في سامسونغ للإلكترونيات، ذكر أن حل الذاكرة الجديد هذا يشكل جزءاً من توجهنا نحو تطوير التقنيات الأساسية لـ HBM (ذاكرة النطاق الترددي) وتوفير الريادة التكنولوجية لسوق HBM عالية السعة في عصر الذكاء الاصطناعي.

ولفت هان جين مان، نائب الرئيس التنفيذي المشرف على أعمال سامسونغ في معرض CES 2024، إلى أن سامسونغ تخطط لزيادة إنتاج شرائح HBM بشكل كبير.

وتقول الشركة إن HBM3E 12H توفر نطاقاً ترددياً غير مسبوق يصل إلى 1280 غيغابايت (1.25 تيرابايت) في الثانية، وتضع معيارا صناعيا جديدا بسعة 36 غيغابايت.

ويأتي الإعلان عن الشريحة الجديدة بعد يوم واحد من إعلان منافستها Micron عن إنتاج كميات كبيرة من 24GB 8L HBM3E عالية السرعة، وتستخدم في أجهزة الكمبيوتر لأغراض مثل تطبيقات الذكاء الاصطناعي والرسومات فائقة التفصيل.